單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件？（）
A.
B.
C.
D.
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1.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)圖是增強(qiáng)型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線？（）
A.
B.
C.
D.
2.單項(xiàng)選擇題摩爾定律將遇到前所未有的挑戰(zhàn)，挑戰(zhàn)不包含哪個(gè)？（）
A.功耗密度持續(xù)提高、散熱無(wú)法解決
B.計(jì)算密度增加、工作功耗密度和漏電功耗密度大幅度增長(zhǎng)
C.互連延時(shí)降低，互連能耗減小
D.工藝復(fù)雜，成本降低難以持續(xù)
最新試題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題