問答題

【簡(jiǎn)答題】離子注入摻雜的優(yōu)點(diǎn)是什么？寫出CMOS集成電路制備工藝中用到的離子注入。

答案：

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【簡(jiǎn)答題】什么是含Cl氧化，含Cl氧化的好處是什么？

答案：

單晶硅太陽(yáng)能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長(zhǎng)（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價(jià)鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時(shí)，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

答案：絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)