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填空題
單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si3N4作（）膜來降低入射光的反射，用在擴散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價鍵失配，減少表面復合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si3N4時，反應中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）
答案：
絨化；減反膜；10~25；介面態(tài)
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填空題
圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實現(xiàn)好的選擇性，適合于對（）和（）的刻蝕。
答案：
方向性差，刻蝕速率慢，過刻蝕性能好；去膠；方向性好，刻蝕速率高；SiO2、Al、Si3N4；多晶硅
