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問答題

【計算題】
計算〈111〉晶向硅襯底上外延層厚度為多少時，外延層上的刻蝕坑具有1.838um的尺寸？

答案：

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【計算題】確定在1200℃時，由SiCl₄源生長的外延層的生長速率。反應室的氣相質(zhì)量轉移系數(shù)是h_G=5cm/s，表面反應速率常數(shù)為K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反應溫度降低2℃，生長速率將變化多少？

答案：

【簡答題】為什么使用外延生長難以得到突變結？

答案：通常希望外延層和襯底之間界面處的摻雜濃度梯度很陡，但是由于高溫下進行外延生長，襯底中的雜質(zhì)會進入外延層，使得外延層和襯底...

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