多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）