問(wèn)答題簡(jiǎn)述正性光刻和負(fù)性光刻的概念？?jī)?yōu)缺點(diǎn)？
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1.問(wèn)答題光刻過(guò)程需要哪八大步驟？每個(gè)步驟的作用？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻的主要參數(shù)
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻的目的？
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述傳統(tǒng)金屬化和雙大馬士革流程？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述主要金屬層的制備方法？
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題