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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明動(dòng)態(tài)參數(shù)通態(tài)電流臨界上升率di/dt和斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt的意義。
答案：
晶閘管門極注入觸發(fā)電流后，晶閘管開(kāi)始只在靠近門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通，隨著時(shí)間的推移，導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大到PN結(jié)的全部面積。...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試解釋Power MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率高于GTR、IGBT、GTO。
答案：
Power MOSFET為單極性器件，沒(méi)有少數(shù)載流子存貯效應(yīng)，反向恢復(fù)時(shí)間很短。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】Power MOSFET和GTR哪個(gè)易于并聯(lián)，為什么？
答案：
Power MOSFET更易于并聯(lián)，其導(dǎo)通溝道電阻為正溫度系數(shù)。
