問答題

【簡答題】試解釋Power MOSFET的開關(guān)頻率高于GTR、IGBT、GTO。

答案： Power MOSFET為單極性器件，沒有少數(shù)載流子存貯效應(yīng)，反向恢復(fù)時間很短。
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問答題

【簡答題】Power MOSFET和GTR哪個易于并聯(lián)，為什么？
答案： Power MOSFET更易于并聯(lián)，其導(dǎo)通溝道電阻為正溫度系數(shù)。
問答題

【簡答題】為什么GTO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通晶閘管相似，但卻可以通過施加門極負(fù)電流使其關(guān)斷？
答案： GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個甚至數(shù)百個共陽極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一...
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