單項選擇題當逆向偏壓從10V減少到5V時，二極管接面的空乏區(qū)將（）
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
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1.單項選擇題三價雜質加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導體
C.N型半導體
D.空乏區(qū)
2.單項選擇題當P型和N型半導體接觸時，即會產(chǎn)生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負離子
3.單項選擇題二極管并聯(lián)可增加（）
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時間
D.以上皆正確
4.單項選擇題P型半導體與N型半導體結合時，會在PN接合面上形成空乏區(qū)，則空乏區(qū)靠N型側內有下列何者？（）
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負離子
5.單項選擇題有關稽納二極管的敘述，下列何者為真？（）
A.它是個定電壓組件
B.它是個定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負電阻特性
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