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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時(shí)，二極管接面的空乏區(qū)將（）

A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰

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單項(xiàng)選擇題

三價(jià)雜質(zhì)加到硅形成（）

A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)

單項(xiàng)選擇題

當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）

A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子

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