單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),即會(huì)產(chǎn)生一空乏層,而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有()
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
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1.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加()
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時(shí)間
D.以上皆正確
2.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí),會(huì)在PN接合面上形成空乏區(qū),則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者?()
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子
3.單項(xiàng)選擇題有關(guān)稽納二極管的敘述,下列何者為真?()
A.它是個(gè)定電壓組件
B.它是個(gè)定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負(fù)電阻特性
4.單項(xiàng)選擇題整塊N型半導(dǎo)體是呈()
A.負(fù)電性
B.正電性
C.電中性
D.不一定
5.單項(xiàng)選擇題在實(shí)用電路上,變?nèi)荻O管的電容量與外加變?nèi)荻O管兩端之()
A.逆向電壓成正比
B.逆向電壓成反比
C.順向電壓成正比
D.順向電壓成反比
E.以上皆非
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