A.校準系數(shù)
B.半值深度
C.水表面的平均能量
D.實際射程
E.水下的平均能量
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A.1~4MV
B.4~8MV
C.4-10MV
D.10~15MV
E.18~25MV
A.產(chǎn)生于電子在原子殼層間躍遷
B.產(chǎn)生于電子與核的庫侖相互作用
C.產(chǎn)生于核躍遷
D.產(chǎn)生于正負電子湮滅
E.正電子和負電子碰撞
A.2.0-5.0cm
B.5.0-10.0cm
C.10.0-20.0cm
D.20.0-25.0cm
E.25.0-30.0cm
A.化學(xué)劑量法
B.電離室法
C.熱釋光法
D.半導(dǎo)體法
E.膠片法
A.量熱器
B.電離室
C.熱釋光
D.半導(dǎo)體
E.膠片
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時，應(yīng)采用雙平面插植。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X（γ）射線SRT（SRS）的基本特征。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
低LET射線的RBE值（）1.0，高LET射線的RBE值（）2.0。
電磁掃描調(diào)強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點，而且可實現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強治療。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)（能量）的高低。
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變越小。