問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】采用LPCVD TEOS淀積的是什么膜?這層膜的優(yōu)點(diǎn)是什么?

答案: 多晶硅薄膜
用TEOS(正硅酸乙酯)-臭氧方法淀積SiO2 Si(C...
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【簡(jiǎn)答題】質(zhì)量輸運(yùn)限制CVD和反應(yīng)速度限制CVD工藝的區(qū)別?

答案: 1、質(zhì)量傳輸限制淀積速率
淀積速率受反應(yīng)物傳輸速度限制,即不能提供足夠的反應(yīng)物到襯底表面,速率對(duì)溫度不敏感(如...
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