A.Fetch
B.Decode
C.Execute
D.Encode
E.Writeback
F.Compile
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A.無(wú)論使用者的經(jīng)驗(yàn)、文化水平、語(yǔ)言技能、使用時(shí)的注意力集中程度如何,都能容易地理解設(shè)計(jì)物的使用方式
B.設(shè)計(jì)物對(duì)于不同能力的人們來說都是有用而適合的
C.提供合適的尺度和空間以便于接近、到達(dá)、操控和使用,無(wú)論使用者的生理尺寸、體態(tài)和動(dòng)態(tài)
D.設(shè)計(jì)物應(yīng)該降低由于偶然動(dòng)作和失誤而產(chǎn)生的危害及負(fù)面后果
關(guān)于CMOS反相器,以下描述中哪些是正確的()。
A.A
B.B
C.C
D.D
A.溫度升高,載流子遷移率升高,跨導(dǎo)升高,閥值電壓升高
B.溫度升高,載流子遷移率升高,跨導(dǎo)下降,閥值電壓下降
C.溫度升高,載流子遷移率下降,跨導(dǎo)下降,閥值電壓升高
D.溫度升高,載流子遷移率下降,跨導(dǎo)下降,閥值電壓下降
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG
A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能
最新試題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
AUBM的形成可以采用()方法。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
倒裝芯片的連接方式有()。
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。