影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。