問(wèn)答題解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問(wèn)題？
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1.問(wèn)答題DUV波長(zhǎng)曝光時(shí)使用哪種透鏡材料？
2.問(wèn)答題典型的DUV光刻膠曝光劑量的寬容度是多少？
3.問(wèn)答題哪種激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么？
4.問(wèn)答題如果光刻膠對(duì)光的吸收過(guò)多側(cè)墻會(huì)怎樣？
5.問(wèn)答題列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源。
最新試題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題