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問答題

【計算題】一個Ge（Li）探頭相對于標(biāo)準(zhǔn)Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對于距探測器40㎝處一個3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點(diǎn)源的1.33MeV全能峰計數(shù)率。

答案：

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【計算題】
試就以下條件畫出硅面壘探測器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

答案：

【計算題】當(dāng)α粒子被準(zhǔn)直得垂直于金硅面壘探測器的表面時，²⁴¹Am刻度源的主要α射線峰中心位于多道分析器的461道。然后改變幾何條件，使α粒子偏離法線35°角入射，此時，峰位移到449道，試求死層厚度（以α粒子粒子能量損失表示）。

答案：

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