問(wèn)答題

【計(jì)算題】

試就以下條件畫(huà)出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測(cè)器的耗盡深度大于α粒子的射程。 
（b）5MeVα粒子，探測(cè)器的耗盡深度為α粒子射程之半。 
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

答案：

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