A.組選擇
B.行匹配
C.字抽取
D.列命中
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A.256,2,22
B.8,2,22
C.256,2,24
D.8,2,24
A.SSD是基于閃存的存儲技術(shù)
B.順序讀和寫性能相當(dāng),順序讀比順序?qū)懮晕⒖煲稽c(diǎn)
C.隨機(jī)寫很慢
D.SSD不易磨損
A.盤面、磁道、扇區(qū)
B.盤片、磁道、柱面
C.盤片、磁道、扇區(qū)
D.盤面、磁道、柱面
A.尋道時間
B.旋轉(zhuǎn)時間
C.讀取時間
D.傳送時間
A.RAM分為靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM兩類
B.SRAM作為高速緩存存儲器,既可以在CPU芯片上,也可以在片下
C.DRAM將每個位存儲在一個雙穩(wěn)態(tài)存儲器單元里
D.DRAM需要不斷刷新
最新試題
計算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。
計算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算,其中()加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單,電路實(shí)現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要(),否則無法確定是否正確。(4)使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后,若兩個符號位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運(yùn)算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位,或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個進(jìn)位輸出的()操作來判斷。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
()又稱字選法,所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。