A.頻率常數(shù)Nt越大，制作給定頻率探頭的晶片越薄
B.不同壓電晶體材料中聲速不一樣，因此不同壓電材料的頻率常數(shù)也不一樣
C.頻率常數(shù)Nt是壓電晶片的厚度與固有頻率的乘積
D.同種壓電材料，制作高頻探頭時(shí)，晶片厚度較小
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A.降低
B.升高
C.不變
A.橫波反射率γss很低，縱波反射率γsL較高
B.橫波反射率γss為100%
C.縱波反射率γsL為100%
D.橫波反射率γss很高，縱波反射率γsL較低
A.在有機(jī)玻璃斜楔中產(chǎn)生
B.在晶片上直接產(chǎn)生
C.在有機(jī)玻璃耦合層界面上產(chǎn)生
D.在耦合層與鋼板界面上產(chǎn)生
A.有利于提高分辨力
B.有利于改善聲束指向性
C.有利于發(fā)現(xiàn)較小缺陷
D.以上都可以
A.以翼板處為檢測(cè)面的直探頭
B.以翼板外為檢測(cè)面的斜探頭
C.以翼板內(nèi)為檢測(cè)面的直探頭
D.以腹板為檢測(cè)面的斜探頭
最新試題
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量（）。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法，下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
（）可以檢測(cè)出與探測(cè)面垂直的橫向缺陷。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前，必須先調(diào)節(jié)（）。
（）和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
（）可以對(duì)管路、管道進(jìn)行長(zhǎng)距離檢測(cè)。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波，沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭，缺陷回波高度降低一半時(shí)，探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn)，兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為（）。
底波高度法不用試塊，可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小，操作方便，適用于（）的工件。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。