單項(xiàng)選擇題7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
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1.單項(xiàng)選擇題用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
2.單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
3.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
4.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
最新試題
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？
題型：?jiǎn)柎痤}
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
題型：?jiǎn)柎痤}
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門(mén)電路為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
題型：?jiǎn)柎痤}
以下哪個(gè)編碼不能是二－十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題