用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。

判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。

如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。

電可擦除的PROM器件是（）

基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。

與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。

具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）

采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）

（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。