超高頻局部放電試驗?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。

直流高壓試驗采用高壓硅堆作整流元件時，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

對現(xiàn)場使用的電氣儀器儀表,儀表本身消耗的功率越小越好，否則在測小功率時，會使電路工況改變而引起附加誤差。

將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡稱可控串補(bǔ)。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。