問(wèn)答題假設(shè)可供用戶程序使用的主存容量為200KB,而某用戶的程序和數(shù)據(jù)所占的主存容量超過(guò)200KB,但小于邏輯地址所表示的范圍。請(qǐng)問(wèn):具有虛存與不具有虛存對(duì)用戶有何影響?

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存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒(méi)有。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過(guò)()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后,還需經(jīng)過(guò)一個(gè)()送到被控制部件。(3)相對(duì)硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。

題型:?jiǎn)柎痤}

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來(lái)存儲(chǔ)信息的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的()組成的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題