單項(xiàng)選擇題每增加（）三極管的Icbo就增大1倍。
A、1℃
B、5℃
C、10℃
D、15℃
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1.單項(xiàng)選擇題每增加（）三極管的Icbo就增大1倍。
A、1℃
B、5℃
C、10℃
D、15℃
2.單項(xiàng)選擇題繞接的缺點(diǎn)是（）。
A、接觸電阻比錫焊大
B、有虛假焊
C、抗震能力比錫焊差
D、要求導(dǎo)線是單心線，接點(diǎn)是特殊形狀
3.單項(xiàng)選擇題溫度升高導(dǎo)致三極管參數(shù)發(fā)生（）變化。
A、Icbo、β、Ube都增大
B、Icbo、β、Ube都減小
C、Icbo和β增大、Ube減小
D、Icbo減小、β和Ube增大
4.單項(xiàng)選擇題用毫伏表測量電壓時(shí)，選擇量程盡量使表針在滿刻度的（）區(qū)域。
A、中間
B、1/3以上
C、2/3以上
D、1/2以上
5.單項(xiàng)選擇題殘留邊帶調(diào)幅制相對于調(diào)幅制而言，其優(yōu)點(diǎn)是（）。
A、節(jié)省帶寬
B、提高選擇性
C、信號強(qiáng)
D、靈敏度高
最新試題
電子元器件搪錫前應(yīng)使用（）校直元器件引線，引線校直時(shí)不能有夾痕，引線表面應(yīng)無損傷。
題型：單項(xiàng)選擇題
波峰焊機(jī)焊槽內(nèi)的溫度應(yīng)控制在（）范圍，焊接時(shí)間為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
使用錫鍋對導(dǎo)線芯線進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為（），時(shí)間為1s~2s，使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為（）搪錫時(shí)間不大于3s。
題型：單項(xiàng)選擇題
在電路調(diào)試過程中，解決截止失真的主要措施是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）；采用錫鍋搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
元器件若安裝在裸露電路之上，引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應(yīng)超過（）
題型：單項(xiàng)選擇題
手工焊接MOS集成電路時(shí)先焊接（），后焊接（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在制作線扎時(shí)，當(dāng)線扎直徑小于8mm時(shí)，綁扎間距一般為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
靜電對微電子生產(chǎn)的危害有（）
題型：單項(xiàng)選擇題