單項(xiàng)選擇題T觸發(fā)器的輸出狀態(tài)是在CP脈沖的()到來時(shí)改變。

A、上升沿
B、下降沿
C、高電平
D、低電平


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1.單項(xiàng)選擇題溫度每升高1℃,三極管的β將增大()。

A、0.5%~0.1%
B、0.5%~1%
C、1%~2%
D、0.05%~0.5%

2.單項(xiàng)選擇題居里點(diǎn)是指()。

A、鐵磁物質(zhì)完全失去磁性的時(shí)間
B、通過鐵磁物質(zhì)的電流大小
C、鐵磁物質(zhì)完全失去磁性的溫度
D、鐵磁物質(zhì)的熔點(diǎn)

3.單項(xiàng)選擇題電源變壓器、短路線、電阻、晶體三極管等元器件的裝插順序是()。

A、電源變壓器→電阻→晶體三極管→短路線
B、電阻→晶體三極管→電源變壓器→短路線
C、短路線→電阻→晶體三極管→電源變壓器
D、晶體三極管→電阻→電源變壓器→短路線

4.單項(xiàng)選擇題(),電容充電的速度越快。

A、電源電壓越高
B、電容值越大
C、電源電壓越低
D、τ越小

5.單項(xiàng)選擇題亮度信號(hào)的頻帶寬度為()。

A、6MHz
B、8MHz
C、465KHz
D、10.7MHz

最新試題

元器件引線無論采取手工或機(jī)械成形,若有明顯的刻痕或形變超過引線直徑的()則元器件不應(yīng)使用。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

使用錫鍋對(duì)導(dǎo)線芯線進(jìn)行搪錫時(shí)溫度為(),時(shí)間為1s~2s,使用電烙鐵搪錫時(shí)溫度為()搪錫時(shí)間不大于3s。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí),其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時(shí),其搪錫溫度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

導(dǎo)線、引線與接線端子焊接時(shí),直徑不小于0.3的導(dǎo)線、引線在接線端子應(yīng)纏繞最少3/4圈,但不能超過();直徑小于0.3的導(dǎo)線,引線最多可繞()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

波峰焊機(jī)焊槽內(nèi)的溫度應(yīng)控制在()范圍,焊接時(shí)間為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

NPN管飽和條件是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

元器件貼裝可選用手工貼裝或設(shè)備貼裝,貼裝時(shí)應(yīng)保證焊端至少()覆蓋焊盤。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列關(guān)于導(dǎo)線端頭處理描述不正確的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時(shí)不能有夾痕,引線表面應(yīng)無損傷。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

靜電對(duì)微電子生產(chǎn)的危害有()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題