A.0.5倍
B.0.85倍
C.1.0倍
D.1.18倍
E.1.55倍
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A.局部劑量高且LET高
B.局部劑量低且LET低
C.局部劑量高但LET低
D.局部劑量低但LET高
E.以上均錯(cuò)誤
A.低LET射線存在亞致死損傷
B.低LET射線的RBE高
C.高LET射線治療時(shí)劑量改變的影響不顯著
D.低LET射線治療時(shí)存在細(xì)胞修復(fù)
E.低LET射線治療時(shí)細(xì)胞階段的敏感性差異明顯
A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
A.窄束
B.寬束
C.平行寬束
D.平行寬束和單一能量
E.平行窄束和單一能量
A.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的能量損失份額
B.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的相互作用幾率
C.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
D.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率
E.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,強(qiáng)度衰減一半時(shí)的物質(zhì)厚度
最新試題
源皮距越小,百分深度劑量越大。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。