A.在巴黎系統(tǒng)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)
B.陰道源的分布要盡量寬
C.宮腔與陰道源的強(qiáng)度為不同的比例
D.對(duì)特定點(diǎn)如A點(diǎn)B點(diǎn)的劑量準(zhǔn)確
E.A點(diǎn)劑量規(guī)定為7000R
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A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
E.±5%
A.≤、≤
B.≥、≥
C.≤、≥
D.≥、≤
E.=、=
A.CF=TAR（h-d，F(xiàn)SZd）/TAR（d，F(xiàn)SZd）
B.CF=TAR（d-h，F(xiàn)SZd）/TAR（h，F(xiàn)SZd）
C.CF=TAR（d-h，F(xiàn)SZd）/TAR（d，F(xiàn)SZd）
D.CF=TAR（h-d，F(xiàn)SZd）/TAR（h，F(xiàn)SZd）
E.CF=TAR（d，F(xiàn)SZd）/TAR（d-h，F(xiàn)SZd）
A.與乏氧細(xì)胞數(shù)目有關(guān)
B.與正常組織細(xì)胞增殖有關(guān)
C.與正常組織修復(fù)能力有關(guān)
D.與腫瘤細(xì)胞的再分布有關(guān)
E.細(xì)胞存在亞致死損傷
A.18mm
B.20mm
C.35mm
D.50mm
E.65mm
最新試題
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
實(shí)際患者治療時(shí)，無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū)，提示（）。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X（γ）射線SRT（SRS）的基本特征。
對(duì)重離子，線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證，包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng)，射野影像系統(tǒng)，活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是（）。