單項(xiàng)選擇題以下各指標(biāo)中,不可以用來衡量流水線性能的是()。
A.丟包率
B.吞吐率
C.加速比
D.效率
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1.單項(xiàng)選擇題以下措施中,能夠有效提高計(jì)算機(jī)速度的是()。
A.提高訪存速度
B.降低電源功率
C.提高CPU溫度
D.減少硬盤容量
2.單項(xiàng)選擇題以下對(duì)于各寄存器功能的描述正確的是()。
A.PSW寄存器用于存放程序狀態(tài)字
B.MAR寄存器用于存放取回的數(shù)據(jù)
C.PC寄存器用于存放當(dāng)前欲執(zhí)行指令
D.IR寄存器用于存放存儲(chǔ)單元的地址
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最新試題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
題型:單項(xiàng)選擇題
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:單項(xiàng)選擇題
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。
題型:單項(xiàng)選擇題