單項(xiàng)選擇題起始電子在電場(chǎng)作用下發(fā)生碰撞電離,使()迅速增加的現(xiàn)象稱(chēng)為電子崩。
A.復(fù)合離子
B.帶電質(zhì)子
C.游離分子
D.運(yùn)動(dòng)電子
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1.單項(xiàng)選擇題一般所說(shuō)的電子崩,往往是指電子崩區(qū)域,電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
2.單項(xiàng)選擇題試驗(yàn)表明,擊穿通道是局限在狹窄的()形通道中,且有分支,說(shuō)明放電過(guò)程與局部條件有關(guān),有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)外加()很高,達(dá)到間隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),電子崩的發(fā)展形成流注,實(shí)現(xiàn)擊穿。
A.電壓
B.電場(chǎng)
C.磁場(chǎng)
D.能量
4.單項(xiàng)選擇題一旦形成流注,放電就進(jìn)入了新的階段,放電可以由其本身產(chǎn)生的空間()提供電子,只在外施電壓作用下而自行維持,即轉(zhuǎn)入自持放電。
A.電子離
B.電子崩
C.負(fù)電場(chǎng)
D.光電離
5.單項(xiàng)選擇題最大與最小場(chǎng)強(qiáng)值(),稱(chēng)為極不均勻電場(chǎng)。
A.相差很小
B.相差很大
C.沒(méi)有相差
D.絕對(duì)相同
最新試題
當(dāng)負(fù)荷變動(dòng)周期較大、()較大時(shí),僅靠“一次調(diào)整”不一定能保證頻率偏移在允許波動(dòng)的范圍之內(nèi)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電力系統(tǒng)的()調(diào)整與發(fā)電機(jī)單位調(diào)節(jié)功率有關(guān)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使晶閘管從截止變?yōu)閷?dǎo)通所需要的最小控制極()稱(chēng)為控制極觸發(fā)電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三相半波晶閘管整流電路線路簡(jiǎn)單,但是會(huì)造成電網(wǎng)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在穩(wěn)態(tài)情況下,所有發(fā)電機(jī)同步運(yùn)行,整個(gè)電力系統(tǒng)的頻率是()的。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
頻率下降時(shí),將引起汽輪機(jī)葉片(),縮短葉片的壽命,嚴(yán)重時(shí)會(huì)發(fā)生葉片斷裂事故。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
串聯(lián)式穩(wěn)壓電源的()高。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電壓降低時(shí),會(huì)使電網(wǎng)中的有功功率損耗和()損耗增加。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半控單相橋式晶閘管整流電路是半橋?yàn)榫чl管,另半橋?yàn)椋ǎ?/p>
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在電力系統(tǒng)中,功率的平衡是一個(gè)供需()隨時(shí)平衡的動(dòng)態(tài)過(guò)程。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題