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單項(xiàng)選擇題
一般所說的電子崩,往往是指電子崩區(qū)域,電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部,且()集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
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單項(xiàng)選擇題
試驗(yàn)表明,擊穿通道是局限在狹窄的()形通道中,且有分支,說明放電過程與局部條件有關(guān),有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
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單項(xiàng)選擇題
當(dāng)外加()很高,達(dá)到間隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),電子崩的發(fā)展形成流注,實(shí)現(xiàn)擊穿。
A.電壓
B.電場(chǎng)
C.磁場(chǎng)
D.能量
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