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離子注入機(jī)機(jī)架外殼和高壓放電棒接地電阻小于()。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
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Metal slab中的金屬Ti是為了形成金屬硅化物降低接觸電阻。
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擴(kuò)散的低壓工藝有多晶、氮化硅和TEOS。
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