判斷題

Metal slab中的金屬Ti是為了形成金屬硅化物降低接觸電阻。

答案：正確

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擴(kuò)散的低壓工藝有多晶、氮化硅和TEOS。

答案：正確

LPCVD多晶的反應(yīng)氣體是二氯二氫硅。

答案：錯誤

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