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A.三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法比四點(diǎn)彎曲簡(jiǎn)單
B.三點(diǎn)彎曲試樣幾乎總是在最大彎矩附近處斷裂，因此對(duì)于材料的缺陷反映精度不如四點(diǎn)彎曲高
C.四點(diǎn)彎曲測(cè)得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果（即材料彎曲性能）離散性較大
D.采用四點(diǎn)彎曲時(shí)，試樣通常在兩加載點(diǎn)之間的長(zhǎng)度內(nèi)具有缺陷處發(fā)生斷裂
E.四點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn)時(shí)必須注意加載的均衡

A.晶界是裂紋擴(kuò)展的阻力
B.晶粒減小則晶界前塞積的位錯(cuò)數(shù)減少，有利于降低應(yīng)力集中
C.晶界總面積增加，使晶界上雜質(zhì)濃度減少，避免產(chǎn)生沿晶脆性斷裂
D.晶界的強(qiáng)度總是高于晶內(nèi)的強(qiáng)度