下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

引線鍵合的常用技術(shù)有（）。

引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。

鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。

常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。

鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。

鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。

因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。