P阱CMOS工藝,N阱CMOS工藝和雙阱CMOS工藝
按襯底材料有Si,GaAs,InP按場(chǎng)形成結(jié)構(gòu)有J/MOS/MES按載流子類型有P/N按溝道形成方式區(qū)分有E/D