按襯底材料有Si,GaAs,InP按場形成結(jié)構(gòu)有J/MOS/MES按載流子類型有P/N按溝道形成方式區(qū)分有E/D
N溝道FET的速度將比P溝道FET快2.5倍
自對準無需重疊設(shè)計減小了電容提高了速度減小了柵、源、漏極尺寸增加集成度;增加電路可靠性