問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】Si/SiGe材料系統(tǒng)的HBT工藝取得了哪些長(zhǎng)足進(jìn)步?

答案: 截止頻率大于100GHz的SiGeHBT已成功實(shí)現(xiàn);已經(jīng)開發(fā)出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25μm的C...
題目列表

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】目前,III/V族化合物構(gòu)成的高速HBT可達(dá)到哪些性能?

答案:

它們的fT和fmax已分別超過(guò)150Ghz和200GHz

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】InP/InGaAsHBT具有什么特點(diǎn)?

答案:

高速度、低功耗

微信掃碼免費(fèi)搜題