由一些基本材料,如在Si,GaAs或InP制成的襯底上或襯底內(nèi),用其它物質(zhì)再生成一層或幾層材料。
柵極、源極與漏極(或雙極器件的基區(qū)與發(fā)射區(qū))的歐姆接觸、基本連線、薄PN結(jié)的擴散源、高值電阻等
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)、特性隨結(jié)晶度與雜質(zhì)原子而改變、應(yīng)用廣泛