A.增大輸入電壓VinB.減小擴(kuò)散電容和互連線的電容C.適當(dāng)增加晶體管的W/LD.適當(dāng)增大VDD
?關(guān)于一對串聯(lián)反相器中的寄生電容,電容的大小隨著工藝尺寸的縮小而增加的是()。
A.扇出的柵電容CG3和CG4B.連線電容CWC.擴(kuò)散電容CDB1和CDB2D.柵漏電容CGD12