影響顯影工藝的因素有（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

刻蝕的過程中，對(duì)刻蝕的要求是（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。