傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

影響顯影工藝的因素有（）。