最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）

光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

敘述測(cè)試晶體管的方法？

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。