調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）

鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）