光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。