試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

說明功能檢測工裝的制作原理？

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）