在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設備是（）

金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

分結深是重要的結構參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結注入時，判斷其造成原因有（）

說明功能檢測工裝的制作原理？

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。

回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）