兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）