試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。