設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。