BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

集成電容主要有幾種結構？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。